MOS管根据应用场景不同，驱动电路的类型也较多，主要有IC直接驱动型、推挽输出电路增强驱动型、二极管加速关断驱动型、三极管加速关断驱动型、变压器加速关断驱动（隔离驱动）型。

1、IC直接驱动型

图1：IC直接驱动电路

电源控制IC直接驱动是最常见、最简单的驱动方式。优点是电路简单，成本低。缺点是不同电源控制IC驱动电流不同，如果IC没有足够的峰值驱动电流，MOSFET将以较慢的速度开启；如果驱动能力不足，上升沿可能会出现高频振荡。

存在电流反灌的风险，驱动IC引脚负压较大，可能导致驱动IC损坏，驱动能力也受驱动IC限制，会导致驱动IC的损耗变大，发热严重，充放电电流都流过驱动IC,驱动信号线长还容易耦合外部噪声，干扰驱动IC内部的逻辑电路、时钟电路，出现工作状态异常。

2、推挽输出电路增强驱动型

推挽驱动电路的作用是增加驱动峰值电流，快速完成栅极电容的充放电的过程，这种拓扑减小了MOSFET的开关时间，MOSFET能够快速开通与关断，也可能产生驱动振荡。    

图2：推挽输出驱动电路

驱动器件可以靠近MOS管放置，寄生电感减小；推挽输出驱动本身的特性，自带两个PN结保护防止反向破坏，针对IC驱动能力要求不高，IC驱动损耗较小。主要缺点是器件较多，驱动电压需要从VCC引入。需要加入反相电路的图腾柱，驱动的dｉ/dｔ更大，对IC的逻辑干扰较大。

3、二极管关断加速驱动型

图3：二极管关断加速驱动电路

开启和关断可以独立调节，电路简单。缺点是随着VGS电压的降低，二极管的作用越来越小，只在Turn Off Delay Time阶段较明显；放电电流流至驱动芯片，驱动芯片会发烫，寄生电感较大，主要应用在小功率开关电源电路，驱动IC的发热较小情况。

4、三极管关断加速驱动型    

图4：三极管关断加速驱动线路

开启和关断速度可以独立调节，关断速度较快，驱动环路寄生电感影响较小。缺点是泄放三极管基极电阻及R218太小，Q202 B值太大时，要防止瞬态饱和电流超三极管的电流应力，同时要注意关断过快导致的振荡问题；泄放三极管BE间需并二极管进行电压箝位。

主要应用在较大功率开关电源，应用在桥式开关电源中时，注意泄放不能过快（振荡），也不能过慢（二次开通问题）

5、变压器加速关断驱动电路

图5：变压器加速关断驱动电路    

为了满足驱动高边MOS管的要求，通常使用变压器驱动，有时也用于安全隔离。使用R1电阻的目的是抑制PCB板上的寄生电感与C1形成LC振荡，其设计目的是隔离直流通过交流，同时防止磁芯饱和。