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嘉峪检测网 2016-04-01 09:45
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| SJ/T 11011-2015 电子器件用纯银钎料中杂质含量 铅、铋、锌、镉、铁、镁、铝、锡、锑、磷的ICP-AES测试方法 |
| SJ/T 11028-2015 电子器件用金铜钎料的分析方法 EDTA容量法测定铜 |
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| SJ/T 11030-2015 电子器件用金铜及金镍钎料中杂质铅、锌、磷的ICP-AES测定方法 |
| SJ/T 11339-2015 数字电视等离子体显示器通用规范 |
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| SJ/T 11407.3.1-2015 数字接口内容保护系统技术规范 第3-1部分：DTV-CI内容保护系统技术规范 |
| SJ/T 11407.3.2-2015 数字接口内容保护系统技术规范 第3-2部分 DTV-CI内容保护系统测试规范 |
| SJ/T 11435-2015 信息技术服务 服务管理 技术要求 |
| SJ/T 11436-2015 风机盘管空调能耗监控系统技术规范 |
| SJ/T 11437-2015 信息技术 移动存储 便携式数字音视频播放器通用规范 |
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| SJ/T 11439-2015 信息技术 面阵式二维码识读引擎通用规范 |
| SJ/T 11536.1-2015 高性能计算机 刀片服务器 第1部分：管理模块技术要求 |
| SJ/T 11537-2015 高性能计算机 机群监控系统技术要求 |
| SJ/T 11538-2015 热打印头通用规范 |
| SJ/T 11539-2015 接触式图像传感器通用规范 |
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| SJ/T 11541-2015 立体电视图像质量测试方法 |
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| SJ/T 11543-2015 前投影机光学引擎技术要求及测量方法 |
| SJ/T 11544-2015 数字电视背投影显示器光学引擎技术要求及测量方法 |
| SJ/T 11545-2015 微显投影机用交流超高压汞灯通用规范 |
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| SJ/T 11548.1-2015 信息技术 社会服务管理 三维数字社会服务管理系统技术规范 第1部分：总则 |
| SJ/T 11549-2015 晶体硅光伏组件用免清洗助焊剂 |
| SJ/T 11550-2015 晶体硅光伏组件用浸锡焊带 |
| SJ/T 11551-2015 高密度互连印制电路用涂树脂铜箔 |
| SJ/T 11552-2015 以布鲁斯特角入射P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量 |
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| SJ/T 11555-2015 用电感耦合等离子体质谱法测定硝酸中金属元素的含量 |
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| SJ/T 11562-2015 软件协同开发平台技术规范 |
| SJ/T 11563-2015 网络化可信软件生产过程与环境 |
| SJ/T 11564.4-2015 信息技术服务 运行维护 第4部分：数据中心规范 |
| SJ/T 11565.1-2015 信息技术服务 咨询设计 第1部分：通用要求 |
| SJ/T 2089-2015 电子测量仪器型号命名方法 |
| SJ/T 2658.10-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第10部分：调制带宽 |
| SJ/T 2658.11-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第11部分：响应时间 |
| SJ/T 2658.1-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第1部分：总则 |
| SJ/T 2658.12-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第12部分：峰值发射波长和光谱辐射带宽 |
| SJ/T 2658.13-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第13部分：辐射功率温度系数 |
| SJ/T 2658.2-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第2部分：正向电压 |
| SJ/T 2658.3-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第3部分：反向电压和反向电流 |
| SJ/T 2658.4-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第4部分：总电容 |
| SJ/T 2658.5-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第5部分：串联电阻 |
| SJ/T 2658.6-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第6部分：辐射功率 |
| SJ/T 2658.7-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第7部分：辐射通量 |
| SJ/T 2658.8-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第8部分：辐射强度 |
| SJ/T 2658.9-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第9部分：辐射强度空间分布和半强度角 |
| SJ/Z 2808-2015 印制板组装件热设计 |
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