本文通过FIB的高精度定位切割功能，配合场发射SEM/EDS，综合分析ITO截面的尺寸和腐蚀产物元素成分，为产品质量提供快捷有效的证据。

　　1.引言

　　失效样品为手机显示屏，具体失效位置在前端IC位置，失效现象是ITO出现腐蚀导致显示异常，如下图所示，需具体分析失效的原因。

　　图1.ITO表面缺陷SEM观察图

　　2.试验与结果

　　3.结论

　　根据测试结果，对比OK和正常位置的成分，推断可能是ITO位置有Mg、K、Ga的盐类或碱污染，在使用过程中环境中的水分子在浓度梯度作用下渗透进ITO位置，形成导电溶液，在通电情况下形成电化学腐蚀造成的。