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对于个位数级别微应变测量，正确的选择是采用箔式电阻应变片。尽管半导体应变片有很好的稳定性，但其在一定条件下容易产生很多误差，如温度变化以及光线变化。
2020/12/12 更新 分类：法规标准 分享
本文通过模拟过电应力（静电、浪涌、直流）来分析半导体器件在各种极端电应力环境下失效的现象和机理，及如何利用好TVS降低过电应力危害。
2021/11/24 更新 分类：科研开发 分享
本次召回范围内车辆的后电机逆变器功率半导体元件可能存在微小的制造差异
2022/04/08 更新 分类：监管召回 分享
可降解假性共轭聚合物的生物医用研究获进展
2022/08/13 更新 分类：行业研究 分享
本文从汽车行业的IGBT模块环境试验的要求出发，介绍了汽车级功率半导体器件IGBT模块需要满足的条件。
2022/08/26 更新 分类：法规标准 分享
本文将简单说明如何测量功耗并计算二极管和 IGBT 芯片的温升。
2023/04/26 更新 分类：科研开发 分享
对于模拟CMOS（互补对称金属氧化物半导体）而言，两大主要危害是静电和过压（信号电压超过电源电压）。了解这两大危害，用户便可以有效应对。
2023/05/07 更新 分类：科研开发 分享
量子计算提供了一系列工具和解决方案，可以推动半导体行业的发展。其中包括提高芯片安全性、加快新材料的发现、优化芯片设计和模拟量子效应。
2023/12/14 更新 分类：科研开发 分享
寄生电容一般是指电感绕线间、芯片引脚之间、功率半导体引脚之间在高频情况下表现出来的电容特性。
2024/03/08 更新 分类：科研开发 分享
非线性是如何产生的，为什么会引起增益压缩，如何测试1dB增益压缩点，这将是下文要重点介绍的内容。
2024/04/30 更新 分类：科研开发 分享
