中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室刘明院士团队从理论方面提出了载流子的“集体输运效应”（collective transport）的物理机制。

2023/05/11 更新 分类：行业研究 分享

本文对BEoL阶段的与时间相关的电介质击穿（TDDB）模型进行研究。

2024/10/27 更新 分类：科研开发 分享

本文对因高温导致的金属间化合物和氧化失效模型进行研究

2024/11/24 更新 分类：科研开发 分享

MOS管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。

2018/10/24 更新 分类：科研开发 分享

半导体材料氧化镓的性能潜力及面临的挑战。

2021/03/26 更新 分类：科研开发 分享

本文介绍了晶体结构,晶面与晶向,晶体中的缺陷,晶体中的杂质,生长单晶硅及单晶硅性能测试。

2021/08/23 更新 分类：科研开发 分享

本文对FEoL阶段的相变（PCM）非易失性存储器数据保持模型进行研究

2024/10/26 更新 分类：科研开发 分享

本文对因温度循环和热冲击导致的界面失效模型进行研究

2024/11/22 更新 分类：科研开发 分享

西安交通大学杨树明教授提出的《如何解决三维半导体芯片中纳米结构测量难题？》，分析了三维半导体芯片未来发展对测量技术的需求，探索了大深宽比纳米结构测量的最新发展方向，研究了大长径比纳米探针技术在新一代半导体芯片测量中的可行性。

2021/08/03 更新 分类：科研开发 分享

近日，中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心与国内多家单位合作，设计二维半导体与二维铁电材料的特殊能带对齐方式，将金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）与非隧穿型的铁电忆阻器垂直组装，首次构筑了基于垂直架构的门电压可编程的二维铁电存储器。

2022/11/30 更新 分类：科研开发 分享