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嘉峪检测网 2024-11-16 19:04
小信号MOS在进行可靠性测试时失效,经测试为GS漏电,对故障样品进行失效分析。
失效确认:IV测试,确认GS存在漏电
故障点定位:对样品进行Backside处理,EMMI测试抓取存在漏电点
化学开封,取die,因为铝层较厚未发现明显异常。
去除铝层后,故障位置OM观察也未见明显异常。
使用SEM观察,发现故障点疑似烧毁。
使用化学去层:可见热点位置明显击穿点。
FIB切片,发现GS烧毁。
分析:该MOS为trench结构,结构示意图如下图所示。
导致失效的可能原因:测试时引入ESD损伤。
经验总结:在SEM观察到异常后,直接使用FIB避免化学去层时导致故障点损伤加剧。
来源:Top Gun实验室