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小信号MOS管失效分析案例

嘉峪检测网        2024-11-16 19:04

    小信号MOS在进行可靠性测试时失效,经测试为GS漏电,对故障样品进行失效分析。

    失效确认:IV测试,确认GS存在漏电

 

    故障点定位:对样品进行Backside处理,EMMI测试抓取存在漏电点

    化学开封,取die,因为铝层较厚未发现明显异常。

    去除铝层后,故障位置OM观察也未见明显异常。

    使用SEM观察,发现故障点疑似烧毁。

 

 

 

    使用化学去层:可见热点位置明显击穿点。

 

 

     FIB切片,发现GS烧毁。

    分析:该MOS为trench结构,结构示意图如下图所示。

    导致失效的可能原因:测试时引入ESD损伤。

经验总结:在SEM观察到异常后,直接使用FIB避免化学去层时导致故障点损伤加剧。

 

 
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来源:Top Gun实验室