失效模式分析：下管先过压击穿，然后上管过热失效。

市场有两种故障类型：

1、Vin和SW均与GND短路；

2、SW与GND短路。

市场失效共性分析：下管失效位置一致，上管失效位置随机分布（但都在上管的中间位置，即散热最差的位置）

开盖分析：市场故障开盖及去层发现下管边缘处有过压击穿点形貌，上管中间有热斑，推断故障机理为下管先受过电应力导致击穿（通常边缘边缘位置电应力最大先击穿），上管在下管被击穿后开通时上下管同时导通MOS发热导致热失效，失效点在MOS中间散热最差的地方形成一个热斑。

导致其下管击穿的原因，通常不是存在真实的过电应力，因为已经有很多客户在其官网提报，可能是其耐压设置偏下限，在低温下耐压进一步下降导致发生击穿失效。

解决方案：使用TLV62569A或者国产替代，经受害者验证，这两种方案均有效。

需注意：TLV62569A我司选用的是SOT563-6封装，该封装采用的是bump；TLV62569我司选用的是SOT23-6封装，该封装采用的是wire bonding。

国产替代：钰泰/ETA3485，受害者已验证没问题。国产替代很多，查看规格书可用发现耐压规格做的比TI大，目前这个物料国产替代已经有很多，杰华特也有相应的规格。

写在最后：有的时候EOS只是一个现象，但是导致EOS问题的并不一定真的存在过电应力，可能是芯片设计存在薄弱点。TLV62569的问题分析并没有找到根因，这个根因可能只能存在于TI内部，但因为很多客户均已提报了相同类型的问题，那么可以学习这些受害者的经验，导入改善措施。