您当前的位置:检测预警 > 栏目首页

  • 芯片设计、芯片制造、封装测试知识大全

    集成电路产业通常被分为芯片设计、芯片制造、封装测试三大领域,我们逐一进行分析,芯片设计主要从EDA、IP、设计三个方面来分析;芯片制造主要从设备、工艺和材料三个方面来分析;封装测试则从封装设计、产品封装和芯片测试几方面来分析。

    2021/02/23 更新 分类:科研开发 分享

  • LED封装可靠性测试与评估

    LED器件的失效模式主要包括电失效(如短路或断路)、光失效(如高温导致的灌封胶黄化、光学性能劣化等)和机械失效(如引线断裂,脱焊等),而这些因素都与封装结构和工艺有关。 LED的使

    2020/12/10 更新 分类:科研开发 分享

  • SiP失效模式和失效机理

    SiP组件的失效模式主要表现为硅通孔(TSV)失效、裸芯片叠层封装失效、堆叠封装(PoP)结构失效、芯片倒装焊失效等,这些SiP的高密度封装结构失效是导致SiP产品性能失效的重要原因。

    2021/04/29 更新 分类:科研开发 分享

  • 浅谈集成电路封装过程中的风险评估

    大体而言集成电路产业可分为三个阶段:电路设计,晶圆制造,封装测试。电路设计大体是一群电路系统毕业的学霸搞出来的(因为学霸,所以高薪),他们把设计好电路给晶圆制造厂(台积电、联电、中芯国际……),最后圆片从晶圆厂发货到封装测试厂(日月光、安靠、长电科技……)。

    2021/03/22 更新 分类:科研开发 分享

  • CSTM/FC51发布《天线用液晶聚合物/改性聚酰亚胺材料试验方法》等5项团体标准

    CSTM/FC51发布《天线用液晶聚合物/改性聚酰亚胺材料试验方法》等5项团体标准,将于2023年7月7日正式实施。

    2023/04/21 更新 分类:法规标准 分享

  • 微电子封装中焊点的电迁移失效分析

    本文主要介绍了电迁移现象与原理,电迁移的影响因素及电迁移对微焊点的影响。

    2021/12/23 更新 分类:科研开发 分享

  • 铝合金天线钎料铺展程度及钎焊工艺控制研究

    本研究对天线和原材料板材表面粗糙度、晶粒组织、析出相、焊缝组织、维氏硬度进行对比试验,并进行热处理对比试验,分析影响真空钎焊质量的多个因素,确认钎料在板材表面铺展程度不同的主要因素之一为表面粗糙度,失效件原材料存在晶粒较大、硬度较低的情况,后期通过严格控制板材热处理温度在再结晶温度以下以及板材晶粒尺寸,此类失效没有再次发生。

    2020/12/08 更新 分类:检测案例 分享

  • 重要通知:8月26日起FCC Part 15提供资料需要增加满足要求的天线增益报告!

    8月26日起FCC Part 15提供资料需要增加满足要求的天线增益报告

    2022/08/27 更新 分类:科研开发 分享

  • 电子微组装封装的功能和分级

    电子微组装封装技术,是用于电子元器件、电子微组装组件(HIC、MCM、SiP等)内部电互连和外部保护性封装的重要技术,它不仅关系到电子元器件、电子微组装组件自身的性能和可靠性,还影响到应用这些产品的电子设备功能和可靠性,特别是对电子设备小型化和集成化设计有着重要影响。

    2021/02/16 更新 分类:科研开发 分享

  • 芯片封装绑线设计与不良分析方法

    芯片封装绑线设计: 1.金线的选择,2. 芯片pad设计规则;WB工艺主要从:工艺,主要参数对键合的影响,劈刀的选型,打线可靠性标准,线弧设计,常见不良及原因分析和如何提升打线效率几个方面。

    2021/06/24 更新 分类:科研开发 分享