您当前的位置:检测预警 > 栏目首页

  • LED封装可靠性测试与评估

    LED器件的失效模式主要包括电失效(如短路或断路)、光失效(如高温导致的灌封胶黄化、光学性能劣化等)和机械失效(如引线断裂,脱焊等),而这些因素都与封装结构和工艺有关。 LED的使

    2020/12/10 更新 分类:科研开发 分享

  • SiP失效模式和失效机理

    SiP组件的失效模式主要表现为硅通孔(TSV)失效、裸芯片叠层封装失效、堆叠封装(PoP)结构失效、芯片倒装焊失效等,这些SiP的高密度封装结构失效是导致SiP产品性能失效的重要原因。

    2021/04/29 更新 分类:科研开发 分享

  • 浅谈集成电路封装过程中的风险评估

    大体而言集成电路产业可分为三个阶段:电路设计,晶圆制造,封装测试。电路设计大体是一群电路系统毕业的学霸搞出来的(因为学霸,所以高薪),他们把设计好电路给晶圆制造厂(台积电、联电、中芯国际……),最后圆片从晶圆厂发货到封装测试厂(日月光、安靠、长电科技……)。

    2021/03/22 更新 分类:科研开发 分享

  • 微电子封装中焊点的电迁移失效分析

    本文主要介绍了电迁移现象与原理,电迁移的影响因素及电迁移对微焊点的影响。

    2021/12/23 更新 分类:科研开发 分享

  • 电子微组装封装的功能和分级

    电子微组装封装技术,是用于电子元器件、电子微组装组件(HIC、MCM、SiP等)内部电互连和外部保护性封装的重要技术,它不仅关系到电子元器件、电子微组装组件自身的性能和可靠性,还影响到应用这些产品的电子设备功能和可靠性,特别是对电子设备小型化和集成化设计有着重要影响。

    2021/02/16 更新 分类:科研开发 分享

  • 芯片封装绑线设计与不良分析方法

    芯片封装绑线设计: 1.金线的选择,2. 芯片pad设计规则;WB工艺主要从:工艺,主要参数对键合的影响,劈刀的选型,打线可靠性标准,线弧设计,常见不良及原因分析和如何提升打线效率几个方面。

    2021/06/24 更新 分类:科研开发 分享

  • 芯片封装中引线键合互连特性分析

    本文研究了芯片封装中键合线的建模和模型参数提取方法。根据二端口网络参量,提出了单键合线的"型等效电路并提取了模型中的R、L和C参量。最后,设计出一个简单、低成本的测试结构验证了仿真分析结果。

    2021/07/07 更新 分类:科研开发 分享

  • 功率器件封装体填充不良分析及改进措施

    本文从模塑料填充料选用及饼径选用、产品优化、模具优选等方面分析了填充不良产生的原因,通过对模具排气槽、灌胶口、流道形状进行优化设计,并结合实践经验,总结了设计预防、去除填充不良的方法,提出了预防填充不良产生的一些较为实用的方法或方案,对封装工程师分析解决填充不良问题能起到一定的借鉴作用。

    2021/12/13 更新 分类:科研开发 分享

  • 半导体器件键合失效模式及机理分析

    本文通过对典型案例的介绍,分析了键合工艺不当,以及器件封装因素对器件键合失效造成的影响。通过对键合工艺参数以及封装环境因素影响的分析,以及对各种失效模式总结,阐述了键合工艺不当及封装不良,造成键合本质失效的机理;并提出了控制有缺陷器件装机使用的措施。

    2021/12/16 更新 分类:科研开发 分享

  • 集成电路金属封装失效模式分析与纠正措施

    本文针对一种金属气密封装的混合集成电路在应用于某弹载高发射过载冲击环境时出现的功能失效现象,进行了机理分析、仿真验证,并且给出了改进措施。

    2022/02/18 更新 分类:科研开发 分享